Halbbrückentreiber

Übungsaufgaben zu Feldeffekttransistoren: MOSFET, JFET, IGBT und Gate-Treiber

Zwei Übungsaufgaben zu Feldeffekttransistoren – der Heizungsausgang eines Brutapparats mit Logic-Level-MOSFET, Shunt, Datenblattauswahl, Spannungs- und Verlustberechnung, Gate-Schutz und Halbbrückentreiber für den Wendemotor sowie ein Verlustvergleich zwischen Silizium- und GaN-Transistoren in einem USB-C-Netzteil. Zu jeder Teilaufgabe lässt sich eine Beispiellösung einblenden.

Feldeffekttransistoren: MOSFET, JFET, IGBT und Gate-Treiber

Feldeffekttransistoren werden nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung gesteuert. Dieser Artikel zeigt Schritt für Schritt, wie sich Unipolar- und Bipolartransistoren unterscheiden, wie Du JFET, MOSFET und IGBT an Schaltzeichen und Kennlinien erkennst, Kennwerte wie R_DS(on), I_D und P_tot aus englischen Datenblättern ermittelst, Spannungen an FET-Stufen berechnest, Gate-Treiber mit Bootstrap-Schaltung und Gate-Schutz verstehst, Halbbrückentreiber vergleichst und GaN- und SiC-Bauelemente einordnest.