Wiederholung und Übungsaufgaben zum MOSFET – von Logic-Level und R_DS(on) über Datenblatt, Kühlung und PWM bis zu p-Kanal-High-Side, Bootstrap-Treiber und Stromlaufplan. Zu jeder der 18 Aufgaben lässt sich eine Lösung einblenden.
Zwei Übungsaufgaben zu Feldeffekttransistoren – der Heizungsausgang eines Brutapparats mit Logic-Level-MOSFET, Shunt, Datenblattauswahl, Spannungs- und Verlustberechnung, Gate-Schutz und Halbbrückentreiber für den Wendemotor sowie ein Verlustvergleich zwischen Silizium- und GaN-Transistoren in einem USB-C-Netzteil. Zu jeder Teilaufgabe lässt sich eine Beispiellösung einblenden.
Feldeffekttransistoren werden nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung gesteuert. Dieser Artikel zeigt Schritt für Schritt, wie sich Unipolar- und Bipolartransistoren unterscheiden, wie Du JFET, MOSFET und IGBT an Schaltzeichen und Kennlinien erkennst, Kennwerte wie R_DS(on), I_D und P_tot aus englischen Datenblättern ermittelst, Spannungen an FET-Stufen berechnest, Gate-Treiber mit Bootstrap-Schaltung und Gate-Schutz verstehst, Halbbrückentreiber vergleichst und GaN- und SiC-Bauelemente einordnest.
